Удельная чувствительность распорядка 2500...5000 мкА/лм В. Зависмость Iф = f(U) при Ф = const называется вольтамперной характеристикой фоторезистора (рис. 1 б). Фоторезисторы имеют немалой инерционностью и жизнеспособной подвластностью от температуры. В полупроводниковых фотоэлементах под деянием падающего света возникает фотоэдс. Работка фотоэлемента со запирающим покровом (вентильного) основана на применении запирающего пласты меж полупроводниками со всякой проводимостью (р и n). Поглощение лучистой активности при освещении плоскости фотоэлемента вблизи р-n-перехода будить ионизацию атомов кристалла и просвещение новеньких пар свободомыслящих дисков зарядов. Образующие электроны под делом электрического степь р-n-перехода (Епер ) отправляются в мазок n, щели - в покров р. Данное приводит к избытку дырочек в эпидермисе р и электронов в пласте n. Возникающая фотоэдс меж эпидермисами р и n поднимает ток I в кажущейся цепочки от электрода р к n. Мера данного тока зависит от количества электронов и щелей, а значит, и от светового тока.

Модель строить германиевого фотоэлемента со запирающим пластом показана на рис. 2. Он заключается из пластины германия 1 со n-проводимбстью, в которую вплавлен индий 2. В процессе изготовления в планке германия, склонной над индием, уладиться сторона со р-проводимостью. На грани индия со германием и учреждает р-n-переход. Мазок германия, склонный над индием, столь худощав, что световые лучи развязно проходят в территорию р-n-перехода. Корпус фотоэлемента выполнен из органического стекла и залит изолирующим копаундом 3, сквозь который идут итоги фотоэлемента.