При зоны основания на 40% малой, чем у стандартного корпуса SO-8 и высотке 0,7mm, семейство DirectFET 30-вольтных МОП-транзисторов обеспечивает малую развлекать зона и благородную плотность тока в системах синхронных понижающих преобразователей. Схемы IRF6724M, IRF6725M, IRF6726M и IRF6727M имеют естественные основания корпуса MT и MX, как и предшествующее поколение компонентов, что обеспечивает пустяковую череду транзисторов. Особенности череды вводят в себя противоборство в доступном богатстве общее 1,2 -5,1mOhm при10V и 1,8-8.5 mOhm при 4,5V, цельный заряд затвора от 11 до 49nC и заряд затвор-сток от 3,7 до 16nC.